تعيين خواص ساختاري و الكتروني تركيب β-GaSe با استفاده از روش شبه پتانسيل

Determination of the structural and electronic properties of β - GaSe By pseudo-potential

در اين مقاله، ضمن بهينه سازي پارامترهاي ساختاري تركيب نيم رساناي GaSe در فاز β با تقارن فضايي D6h 4 -P63/mmc به بررسي ساختار نواري، چگالي حالت ها و چگالي ابر الكتروني اين تركيب پرداخته شده است. محاسبات بر اساس حل خود سازگار امواج تخت با استفاده از شبه پتانسيل ابتدا به ساكن از نوع اندازه پايسته در چارچوب نظريه ي تابعي چگالي و با در نظر گرفتن تقريب چگالي موضعي (LDA) در بستري نرم افزاري كوانتوم اسپرسو انجام شده است. همچنين، انرژي قطع امواج تخت و نمونه برداري از منطقه ي اول بريلوئن در راستاي بهبود نتايج و نزديك شدن آنها به مقادير تجربي انتخاب شده است. نتايج به دست آمده از محاسبه ي ساختار نواري نشان مي دهد كه اين تركيب يك تركيب نيم رساناي نوع پهن است. به علاوه مقدار كم مدول حجمي به دست آمده بر فوق ترم بودن اين تركيب دلالت دارد و همچنين مطالعه ي چگالي ابر الكتروني اين تركيب نشان مي دهد كه تركيب β– GaSe يك تركيب كاملا لايه اي و منطبق بر ساختار گرافيت است.

In this work, the structural and electronic properties of β-GaSe with space group of D6h 4 -P63/mmc was theoretically investigated. The calculation have been performed using ab initio Pseudo-potential Norm conserving plane wave (Pwscf) method in framework of Density Functional Theory (DFT) with approximations (LDA) using Quantum Espresso package. The cut off energy plan wave and Brillouin Zone sampling improved their results to the experimental data is selected. The obtained results show a compound semiconductor layer and is very soft is based on the graphite structure