بررسي اثر غلظت In بر روي گاف نواري در فاز ورتسايت تركيبات InxGa1-xN با استفاده از تقريب هاي PBEsol و WC در نظريه تابعي چگالي

Influence of In concentration on band gaps in the InxGa1-xN compound in wurtzite phase: An ab initio study with PBEsol and WC method

در اين مقاله ويژگي هاي الكتروني مانند ساختار نواري، چگالي حالات (DOS) و چگالي الكتروني InN ، GaN و InGa - N در فاز وورتسايت براي 0 . 5 = X محاسبه شده است. اين مطالعات بر پايه ي نظريه ي تابعي چگالي (DFT) و با روش پتانسيل كامل موج تخت تقويت شده ي خطي ( FP - LAPW ) و با استفاده از دو نوع تقريب شيب تعميم يافته ( GGA) يعني PBEsol و WC جهت محاسبه ويژگي هاي الكتروني انجام شده است. در اين بررسي به اين نتيجه دست يافتيم كه گاف نواري InGaN با افزايش غلظت In كاهش مي يابد و نوار انرژي GaN به وجود In بسيار حساس است.

In the present work, we have calculated the electronic properties including band structure, density of states (DOS) and electron density for GaN , InN and InxGa1-xN in wurtzite phase for x=0.5. The study is based on density functional theory (DFT) with full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW) with the generalized gradient approximation (GGA) which is PBEsol and WC for calculating electronic properties. We concluded that the InxGa1-xN band gap, would be decreased with increasing In concentration and GaN is very sensitive on In content