ويژگي هاي خواص الكتريكي لايه هاي نازك كريستال Si/ Ge1‐xSix بدست آمده از روش MBE

Features of the electrical properties of thin layers of crystalline Si/ Ge1-xSix obtained from the MBE method

در اين تحقيق لايه هاي نازك كريستال Si/ Ge1‐xSix كه (%15-5=X )در دماي پخت K 600-400 = T به روش اپتاكسي در خلا Pa 10 - 5 كه با دستگاه خلا مدل UVP‐71P3 روسي در آزمايشگاه دانشكده فيزيك آكادمي علوم تهيه شده و خواص الكتروفيزيكي لايه ها و تغييرات آن ها با شرايط تهيه، از قبيل ضخامت لايه ، تغيير دما و ميزان درصد ك در تركيب و برنكہ. Si / Ge1 بررسي شده است. مشخص شد با افزايش ضخامت لايه و دماي كريستال شدن چگالبي در رفتگي از 2x10 تا 8x 10 cm افزايش مي يابد . و همچنين مشخص شد كه با افزايش مقدار S در كريستال چگال حفره ها از ( cm 104 - 102 ) ونيز ضريب تحرك از ( cm / V ' s 1320 - 750 ) كاهش يافته تراكم نقص ها (-cm 102 - 107 ) افزايش مي يابد.

The research results of electrophysical properties of thin-film construction are given on the basis of Si/ Ge1- xSix (x=0; 5 and 15 at %), by the achieved method of molecular beam epitaxy on silicon substrate, depending on the technological parameters and annealing temperature (T=400-600K). It is shown that, the density of dislocation changes from 2 .105 to 8.105 cm-2, but the crystallization degree of the films depends on the thickness and content of Si atoms. With the increase of Si content , the hole concentration is (1016-1015cm-3), and the mobility decreases to (1320-750 cm2/V C), which is connected with the increase of concentration of defects to (1016-1017 cm-3