پايداري و انتقال بار در بين سطح مشترك (001) sic و اپيتاكسي گرافن

Stability and charge transfer at the interface between SiC(0001) and epitaxial grapheme

طبق محاسبات تابعي چگالي، انرژي سطح مشترك بين زيرلايه (0001) sic و اولين پيوند كووالانسي اپيتاكسي لايه گرافن نشان داده مي شود. انرژي كل كه از لحاظ ساختاري در حال سكون اند، خيلي پايدار است، و نشان مي دهد كه اين شكل هندسي موافق x سيستمهاي سطح مشترك با مشاهدات آزمايشي است انرژي بستگي در ارتباط با پاشيدگي عمودي اتم هاي كربن در لايه گرافن با توزيع بزرگتر مشابه با انرژي بستگي بزرگتري كشف 63R30 673 بيشترين تغييرات لايه گرافن در مدولاسيون مشاهده شده آزمايشي با يك دوره تناوب 6*6 آشكار نمايش داده x شد. براي شكل هندسي ° شد. ميزان انتقال بار همچنين با بالاترين اتم هاي گرافن برابر است كه به شكل قوي اي به زيرلايه sic وصل شده است.

Using density functional calculations, we address the energetics of the interface between the SiC(0001)substrate and the first covalently bonded epitaxial graphene layer.The total energies of the structurally relaxed interface systems indicate that the 6 3 6 3R30geometry is the most stable, in agreement with its experimental occurrence. The binding energy is foundto correlate with the vertical spread of the C atoms in the graphene layer, with a larger extension correspondingto a higher binding energy. For the 6 3 6 3R30geometry, the height variation of the graphenelayer displays the experimentally observed modulation with an apparent 6  6 periodicity. Thecharge transfer also correlates with the height of the graphene atoms, being more significant in grapheneregions which are strongly attached to the SiC