تاثير بازپخت بر خواص ساختاري و اپتيكي لايه هاي نازك نيمرساناي نوري سولفيد قلع تهيه شده به روش تبخير حرارتي

Effect of annealing on structural and optical properties of tin sulfide optical semiconductor thin films deposited by evaporation technique

در اين مطالعه، لايه هاي نازك سولفيد قلع بر روي زيرلايه شيشه اي به روش تبخير حرارتي لايه نشاني شده است. هدف از مطالعه، بررسي اثر دماي بستر و باز پخت در خلاء و در حضور و بدون حضور گوگرد، بر خواص ساختاري و اپتيكي لايه ها مي باشد. لايه هاي تهيه شده توسط پراش پرتو ايكس (XRD)، ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) و جذب نوري ( UV - vis) مشخصه يابي شده اند. لايه ها داراي ساختار بس بلوري و يكنواختي بالا هستند. بازپخت نمونه ها در حضور گوگرد باعث تغيير ساختار از آمورف به چند بلوري مي شود. افزايش دماي بستر از دماي اتاق به C° 150 باعث كاهش گاف نوري از 2/86 به eV 2٫57 مي شود. همچنين باز پخت در حضور گوگرد سبب تغيير گاف نوري مي شود.

In this study, tin sulfide thin films on glass substrates are deposited by thermal evaporation technique. The purpose of this study is the effect of substrate temperature and annealing in the presence and none presence of sulfur in vacuum on structural and optical of properties the layers. Produced layers produced by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and optical absorption (UV-vis) have been characterized. Layers have crystalline structure and uniformity high. Annealing the samples in the presence of sulfur changes from amorphous to polycrystalline structure. Increasing substrate temperature from room temperature to 150 oC reduces the optical gap from 2.86 to 2.57 eV. The optical band gap can be changed by annealing in the presence of sulfur