بررسي اثر بازپخت بر روي آستانه تخريب ليزري و مورفولوژي تك لايه MgF2

Investigation of Annealing Effect on Laser Damage Threshold and Morphology of MgF2 Single-Layer

در اين تحقيق سعي شده است تا مورفولوژي لايه نازك . MgF2 در شرايط مختلف دمايي مورد بررسي قرار گيرد. ضخامت لايه MgF2 انباشت شده nm 92 است كه با استفاده از دستگاه SILA90 و به روش تبخير تنفنگ الكتروني بر روي زير لايه اي از جنس BK7 رشد داده شده است. سپس نمونه هاي بدست آمده در دماهاي 100، 200 و 300 درجه سانتي گراد، باز پخت شده اند. در نهايت، سطح نمونه هاي باز پختي با ميكروسكوپ پروبي روبشي Dual Scope AFM DME آناليز شده و همچنين آستانه تخريب ليزري نمونه ها نيز اندازه گيري شد. نشان داده شده است كه با افزايش دما، ويژگي هاي كيفي لايه مانند اندازه دانه بندي و همچنين، آستانه تخريب ليزري نمونه ها، بهبود يافته است.

In this research, we attempt to investigate the morphology of MgF2 thin films at different temperatures. The thickness of MgF2 layer was 92 nm that was deposited by electron beam evaporation method using SILA90 system on BK7 substrate. Then the samples were annealed at different temperatures of 100, 200 and 300 0C. Finally, the morphology of the annealed samples was analyzed by Atomic Force Microscopy (Dual Scope AFM DME). Also, laser damage threshold of the samples was measured. It was shown that the quality properties of MgF2 layer such as grain size and laser damage threshold was optimized by annealing