بررسي نظري خواص الكترونيكي تركيب دي الكتريك و پيز الكتريك BaTiO3

Theoretical study of electronic properties dielectrical and pizoelectrical BaTiO3compound

در اين مقاله برخي از خواص الكترونيكي از جمله ساختار نواري، چگالي حالت ها و چگالي ابر الكتروني براي تركيب پيز الكتريك BaTiO3 در گروه فضايي Pmm بر اساس اصول اوليه محاسبه شده است محاسبات به روش امواج تخت تقويت شده خطي(FP_LAPW) در چارچوب نظريه تابعي چگالي (DFT) با تقريب شيب تعميم يافته انجام شده است. نتايج ما نشان مي دهد گاف الكترونيكي داراي مقدار2/02eV است كه در مقايسه با كار ديگران به نتايج بهتري منجر مي شود.

In this paper some properties such as band structure and density of states and electronic structure in pizoelectrical BaTiO3 compound have been calculated by first principle. The calculations were performed in the framework of density functional theory (DFT), using the full potential linearized augmented plane wave (FPAPW) method with the generalized gradient approximation (GGA). The results show a indirect band gap of 2.02 ev for BaTiO3 compound that are better than other results