بررسي ترازهاي الكترونيكي اشغال نشده سطح مس (110)

(Investigation of the Unoccupied Surface States of Clean Cu(110

طيف سنجي گسيل معكوس الكترون (IPES) يك روش پيشرفته علوم سطح براي اندازه گيري ترازهاي اشغال نشده با دقت بسيار خوب مي باشد. رفتار الكترونيكي تراز هاي سطحي در سطوح فلزات تك كريستالي مخصوصا سزاوار توجه ويژه اي است. ترازهاي سطحي در ميان شكافهاي مورد مطالعه قرار گرفته بود. تراز هاي سطحي 0 . 5 نواري حجم پيدا ميشوند. ساختار الكترونيكي زير لايه مس خالص (110) بوسيله IPES با دقت ev اشغال نشده در اين كار تحقيقاتي مورد مطالعه قرار گرفته اند. تراز هاي سطحي از نوار هاي جسم مشتق ميشوند و در واقع در بيروني ترين لايه اتمي قرار مي گيرند.

Inverse photoemission spectroscopy (IPES) is an advanced surface science technique for measuring unoccupied surface states with good accuracy. The electronic behavior of surface states at singlecrystal metal surfaces deserves particular attention. Surface states are found in projected bulk band gaps. The unoccupied electronic structure of a clean Cu(110) substrate has been studied using an IPES with energy resolution of 0.5 eV. These surface states are derived from bulk bands and are localized mainly in the outermost atomic layer