تحليل عددي تغييرات طول موج ليزر نيمرساناي 5 لايه ي InGaAsP/InP و وابستگي آن به پارامترهاي ساختاري

Numerical Analysis of Wavelength Variations of 5-layer InGaAsP/InP Semiconductor laser and its dependence to Structural Parameters

در اين مقاله تغييرات ضريب شكست و طول موج ليزر نيمرساناي فابري پروي 5 لايه از آلياژ InGaAsP/InP در اثر اعمال جريان به صورت تئوري بررسي و مدلسازي شده است. پديده هاي پرشدگي نوار، انقباض گاف انرژي و جذب حامل آزاد بطور موثر در تغيير ضريب شكست و مدلسازي درنظر گرفته شده است. همچنين وابستگي تغييرات طول موج ليزر به پارامترهاي ساختاري مانند طول، ضخامت لايه فعال و ضخامت لايه موجبر و بافر بررسي شده است. بيشترين مقدار تغيير طول موج در حدود 1/7789 نانومتر از محاسبات عددي به دست آمد.

In this paper the variation of refractive index and wavelength of Fabry-Perot InGaAsP semiconductor laser due to injection current have been evaluated theoretically. Band filling, band gap shrinkage and free carrier absorption effect have been considered in modeling. Also the dependence of operation wavelength changes and refractive index on the structural parameters have been analyzed theoretically. The numerical calculations show that