شبيه سازي مشخصه هاي ديناميكي برحسب طول كاواك و چگالي نقاط سطحي در ليزرهاي نقطه كوانتومي خود ساماني InAs/GaAs

Simulation of dynamic characteristics to cavity length and areal dot density of InAs/GaAs self-assembled quantum dot lasers

در اين مقاله تاثير تغيير طول كاواك را بر چگالي فوتون و همچنين تاثير طول كاواك و چگالي سطحي نقاط را بر توان خروجي در ليزر هاي نقطه كوانتومي خود ساماني InAs / GaAs را بررسي ميكنيم. با استفاده از حل معادلات آهنگ به روش رانگ-كوتا مرتبه چهارم و شبيه سازي منحني هاي مشخصه ليزر در مي يابيم كه افزايش طول كاواك باعث افزايش چگالي فوتون در تراز حالت پايه( GS) و كاهش چگالي فوتون در تراز حالت برانگيخته( ES) مي شود. به هنگام ليزر دهي از تراز برانگيخته افزايش طول كاواك و افزايش چگالي جريان سطحي منجر به افزايش چگالي جريان آستانه و كاهش توان خروجي مي شود؛ و در ليزر دهي از تراز پايه افزايش طول كاواك باعث كاهش اندكي در چگالي جريان آستانه و افزايش توان خروجي ماكزيمم مي شود و افزايش چگالي سطحي نقاط نيز منجر به افزايش چگالي جريان آستانه و افزايش توان خروجي ماكزيمم مي شود.

In this paper we study the influence of cavity length variation on the photon density and the influence of cavity length variation and areal dot density variation on output power of InAs/GaAs self-assembled quantum dot lasers. By solving the rate equations with using forth order Range-Kutta method and simulating the curves of characteristics for laser, we found that; since the cavity length is increasing photon density in ground state (GS)increases and photon density in exited state(ES)decreases. In lasing of ES increasing in cavity length and areal dot density cause that threshold current density increases and output power decrease. In lasing of GS, increasing in cavity length causes threshold current density decreases just a little and maximum output power increases, and so by increasing the areal dot density, threshold current density and output power increases