In0.53Ga0.47As بررسي اثر پارامترهاي ساختاري بر مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور اثر ميدان تونلي دولايه الكترون حفره

در اين مقاله اثر پارامترهاي ساختاري و فيزيكي بر مشخصه هاي الكتريكي ترانزيستور اثر ميداني تونلي دولايه الكترون حفره كانال N مورد مطالعه و شبيه سازي قرار گرفته است. برخلاف افزاره تونلي متداول، در اين افزاره تونل زني در راستاي طول كانال و به صورت عمودي انجام مي شود. به دليل افزايش ناحيه تونل زني جريان حالت روشن به ميزان قابل توجهي بهبود مي يابد. مطابق نتايج بدست آمده، افزايش طول ناحيه همپوشاني دو گيت احتمال تونل زني را افزايش داده و موجب بهبود جريان حالت روشن مي گردد. همچنين با كاهش ضخامت بدنه، نسبت جريان حالت روشن به خاموش10×67 ,6 و سوئينگ زير آستانه 3mV / dec محاسبه گرديده است. در ادامه، تحليل آماري داده ها جهت مشخص نمودن ميزان تغييرات جريان حالت روشن، جريان حالت خاموش، نسبت جريان روشن به خاموش و سوئينگ زير آستانه نسبت به پارامترهاي ساختاري افزاره انجام شده است. طول كانال، طول ناحيه همپوشاني دو گيت و ضخامت كانال از پارامترهاي تاثيرگذار بر مشخصه الكتريكي ترانزيستور تونلي دولايه مي باشند. از طرفي جريان حالت خاموش افزاره كمترين حساسيت را به طول كانال دارد كه اين امر بكارگيري افزاره تونلي دولايه را در ابعاد نانو تسهيل مي كند.