بررسي ميزان آسيب ناشي از تابش نوترون در ديودهاي سيليكوني به روش C-V

Comparison Between Radiation Damege of Two diodes BYV27 an‎d BYV95C By Using C-V Method

در اثر اندركنشهاي نوترون در قطعات الكترونيكي، مشخصات الكتريكي آنها مانند ظرفيت خازني، جريان باياس معكوس و طول عمر حامل اقليت تغيير كرده موجب اختلال در عملكرد قطعه مي شود. يكي از روش هاي متداول در تعيين پارامتر وابسته به آسيب، استفاده از تكنيك C-V است. مقادير استخراج شده از اين روش، دو پارامتر β و است كه معياري براي ميزان آسيب وارده بر قطعه مي باشد. هدف از انجام اين كار اندازه گيري و مقايسه اين پارامترها براي ديودهاي BYV27 و BYV95 است كه تحت تابش راكتور تحقيقاتي تهران پرتودهي شده اند. نتايج بدست آمده حاكي از انطباق بسيار خوب روابط تئوري با نتايج تجربي است. در مقايسه دو ديود مذكور، ديود BYV27 براي محيط هاي تابشي مناسب تر است.

When electronic devices is exposed neuron sources, their electronic properties, such as capacitance, reverse bias current, minority carrier lifetime and so on changed. These changes can be disorder operations of devices. One of the most usual techniques to determine radiation damage is C-V method. The parameters that are extracted from this method are β and . The purpose of this work is to measurement and comparison between these parameters for two diodes i.e. BYV27 and BYV95C. These devices have been radiated under Tehran Research Reactor. Results show that the output data from measurement are compatible to theatrical relations for achievement of these parameters. Through these diodes BYV27 is better one in front of radiation environments