بررسي اثر سرعت چرخش صفحه سايش در فرآيند نازك كاري ويفر GaAs نوع n

Investigation of lapping surface speed on n-GaAs wafers in lapping process

كيفيت سطح ويفرهاي نيمه هادي، تأثير بسيار زيادي بر روي كيفيت و كارآيي ابزارهاي الكترونيكي و اپتو الكترونيكي دارد. در اين تحقيق اثر سرعت چرخش صفحه سايش بر كيفيت سطح ويفر نيمه هادي GaAs نوع n در فرآيند نازك كاري بررسي شده است. به منظور آناليز سطح از ميكروسكوپ الكتروني روبشي(SEM) و ميكروسكوپ نيروي اتمي(AFM) استفاده شده است. نتايج نشان مي دهند كه سرعت بهينه چرخش صفحه سايش در فرآيند نازك كاري ويفر GaAs ، سرعت 25rpm است.

The surface quality of semiconductor wafers has profound influence on characteristic and usage of electronic and optoelectronic devices. In this paper, the effect of lapping surface speed on quality of n-GaAs wafers in lapping process was investigated. For analyzing the surface, atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM) were used. The results indicated that the improved speed for rotating of lapping surface in lapping process of GaAs wafers is 25rpm