مقاومت مغناطيسي تونلي در پيوندگاه مولكولي Co / PT / Co

Tunnel magnetoresistance in Co/PT/Co molecular junction

در اين مقاله، جريان هاي وابسته به اسپين و مقاومت مغناطيسي تونلي (TMR) در پيوندگاه مولكولي كبالت/ مولكول / كبالت با مولكول پلي تينوفن بعنوان يك پل مولكولي فعال كه به دو الكترود مغناطيسي كبالت با سطح مقطع 5x2 اتم متصل شده بصورت عددي بررسي مي شود. بر پايه فرمول بندي لاند اور بوتيكر و يك روش تابع گرين تعميم يافته TMR براي سامانه فوق محاسبه شده است. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه TMR در ولتاژهاي پائين داراي مقدار ماكزيمم (حدود 100٪ ) بوده و با افزايش ولتاژ كم مي شود. علاوه بر اين، در توافق با داده هاي تجربي، نتايج ما نشان مي دهد كه TMR با افزايش دما كاهش مي يابد.

In this work, the spin-dependent currents and the tunnel magnetoresistance (TMR) in Colmolecule/Co structure with polythiophene molecule as an active molecular bridge sandwiched between three dimensional Co magnetic electrodes with finite cross sections (5x5 atoms) is numerically investigated. Based on Landauer-Buttiker formalism and a generalized Green's function method the TMR ratio for the foregoing structure is calculated. We find that the TMR ratio has the maximum magnitude at the lower voltages (=100%) and decreases when the bias voltage increased. In addition, our results indicate that the TMR, in accordance with the experimental data, decreases when the temperature increased