بررسي خواص لايه ي نازك SiN : H لايه نشاني به روش RF - PECVD براي منفعل سازي سطح سلول هاي خورشيدي روي ويفر سيليسيم

Investigation of PECVD-deposited SiNx:H layer as a passivating layer for solar cell on silicon substrate

در اين مقاله اثر شرايط لايه نشاني بر خواص لايه ي SiNx : H توسط لايه گذاري به روش بخار شيميايي به كمك پلاسما بررسي شده است. اين لايه در صنعت ساخت سلول هاي خورشيدي بسيار پر استفاده است و به عنوان يك لايه ي ضدبازتاب و منفعل كننده ي سطحي و حجمي به كار برده مي شود و سبب بهبود راندمان سلول مي شود. بهترين شرايط لايه نشاني در فشاري حدود 700mTorr، جريان گاز سايلن 4scom، توان پلاسماي 55 وات، دماي 400C و استفاده از گاز نيتروژن به عنوان رقيق كننده بدست آمد. عوامل موثر بر ضريب شكست مورد بررسي قرار گرفت و در نهايت لايهي بهينه با ضريب شكست 08/ 2 بدست آمده است كه مناسب سلولهاي خورشيدي است. براي بررسي خواص لايه از آناليز FTIR و Ellipsometry استفاده شده است. وجود هيدروژن در لايه باعت افزايش منفعل سازي مي شود كه نتايج آناليز وجود هيدروژن را در لايه نشان مي دهند.

Effects of deposition parameters on properties of PECVD-deposited SiNx:H layer are investigated. This layer is widely used in solar cell industries, and acts as anti-reflection, surface passivation and bulk passivation in the solar cell, hence increases the efficiency. The optimized deposition parameters found to be a pressure in range 700800sccm, silane flow 4sccm, plasma power 55watt, temperature about 400°C and nitrogen as dilution gas. The parameters which affect reflection index are investigated, and finally the reflection index 2.08 was reached, which is suitable in solar cell industries. The layer is characterized by FTIR and Ellipsometry. The results of analysis reveal hydrogen in the layer, which improves passivation