شبيه سازي عددي تاثير موقعيت پالس اپتيكي بر پاسخ زماني آشكار ساز نوري فلز - نيمه رسانا - فلز در شرايط استاتيك با استفاده از روش تبديل گسسته فوريه

Numerical Modeling of the Effect of Optical Pulse Position on the Temporal Response of Metal-Semiconductor-Metal Photodetector in Statistic Condition Using Discrete Fourier Transform Method

در اين مقاله تاثير موقعيت پالس اپتيكي بر پاسخ زماني آشكارساز نوري فلز نيمه رسانا - فلز ( GaAs ( MSA ، در شرايط استاتيك شبيه سازي عددي شده است. شبيه سازي بر مبناي مدل سوق - پخش حامل ها به روش تبديل گسسته ي فوريه (DFT ارايه شده است. در اين شبيه سازي معادلات پيوستگي وابسته به زمان الكترون ها و حفره ها بصورت عددي محاسبه و چگالي حامل ها و پاسخ زماني آشكار مسافر در يك ولتاژ ثابت تعيين شده است. نتايج حاصل از شبيه سازي نشان مي دهد كه پاسخ زماني قطعه با تغيير موقعيت پالس اپتيكي در ناحيه ي فعال تغيير مي كند. اين تغييرات به گونه اي است كه پاسخ زماني قطعه در اطراف آند بسيار قوي و در اطراف كاتد ضعيف است. نتايج حاصل از شبيه سازي عددي با نتايج تجربي همخواني دارد.

In this article the effect of optical pulse position on the temporal response of GaAs Metal-Semiconductor-Metal (MSM) photodetector in statistic condition has been numerically simulated. The presented simulation is based on the drift-diffusion model and Discrete Fourier Transform method (DFT). The time-dependent continuity equations for electrons and holes are numerically solved and the carrier concentrations and the impulse response of the photodetector at a constant bias voltage have been determined. Results from numerical modeling show that the device temporal response changes when the position of laser beam varies on the active region. The variation of temporal response is very strong around the anode contact and weak near to the cathode contact. The results of numerical simulation agree well with experimental data