مطالعه خواص ساختاري و ميگروساختاري، اپتيكي و الكتريكي لايه هاي نازك اكسيداينديوم قلع (ITO) با ناخالصي سولفور

Study of the structural and micro structural, optical and electrical properties thin films ITO with sulfur impurity

اكسيدهاي رساناي شفاف، به خاطر دو خاصيت همزمان رسانندگي الكتريكي نسبتا بالا و شفافيت اپتيكي زياد در طول موجهاي مرئي كاربرد زيادي در صنايع و تكنولوژي پيدا كرده اند. در اين تحقيق لايه هاي رساناي شفاف ITO محتوي درصدهاي مختلف ناخالصي سولفور، به روش اسپري پايروليزيز روي بسترهاي شيشه اي تهيه شده اند. مطالعات ساختاري توسط طيف پراش پرتوي X انجام شده است و تصاوير ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) الگوي ريز ساختار نمونه ها را مشخص كرده است، همچنين آناليز EDS حضور سولفور را در لايه ها تاييد مي كند. جذب و عبور اپتيكي لايه ها، بوسيله دستگاه اسپكتروفوتومتر UV-Vis اندازه گيري شده و مقدار گاف نواري محاسبه شده است. اندازه گيري مقاومت الكتريكي لايه ها نشان داد كه با افزايش ناخالصي S در لايه ها، مقاومت الكتريكي لايه ها افزايش قابل ملاحظه اي داشته است. همچنين اندازه گيري خواص فوتو رسانايي لايه ها، نشان داد كه با افزايش ناخالصي سولفور تا 20 درصد مقاومت الكتريكي لايه ها با تابش نور به شدت كاهش يافته است.

Transparent conducting oxides due to simultaneous properties of having high optical transparency and rather large electrical conductivity have found a wide range of applications in industrial and technology.In this research, Indium tin oxide (ITO) thin films with sulfur impurity have been deposited by spray paralysis technique on glasses. The structure properties have been studied by XRD and SEM images from samples; also EDS analyze show that sulfur has been in thin films. The optical properties have been studied by UV-Vis spectrometer and energy band gap is obtained.The electrical resistivities of thin films show that by increasing of impurity sulfur in thin films, the electrical resistivities of films were increased. Also photo conductivity of the thin films show that by adding sulfur up to 20% electrical resistivity of them have been decreased by radiation of light to samples.