شماره ركورد كنفرانس :
3704
عنوان مقاله :
مطالعه خواص و مشخصات نانو ترانزيستورهاي مبتني بر نانولوله‌هاي كربني
عنوان به زبان ديگر :
A study on the characteristics of CNT based nanotransistors
پديدآورندگان :
صياد تندرو امين amin.ir2020@yahoo.com دانشگاه آزاد فسا; , دهدشتي جهرمي حامد hamedhdj@yahoo.com دانشگاه جهرم;
كليدواژه :
نانولوله هاي كربني , ترانزيستور , كنترل الكترواستاتيك , بارهاي الكتريكي , ناحيه تاشونده , صفحه هاي گرافن
عنوان كنفرانس :
پنجمين كنفرانس بين المللي در مهندسي برق و كامپيوتر با تاكيد بر دانش بومي
چكيده فارسي :
با توجه به افزايش روز افزون نياز به تراشه‌هايي با ابعاد كوچك تر ، استفاده از فناوري‌هاي جديد در ساخت ترانزيستورها به عنوان جزء اصلي تراشه‌ها ضروري به نظر مي‌رسد . پس از انجام آزمايش‌هاي بسيار دانشمندان به اين نتيجه رسيدند كه نانولوله‌اي كربني كه اساس ساختار آنها از كربن است مي‌تواند گزينه مناسبي براي ادوات الكترونيكي مبتني بر سيليكون باشند. استفاده از نانولوله هاي كربني مي‌تواند قدرت سوئيچينگ بالاتر، منحني ولتاژ به جريان ايده‌آل‌تر، توزيع سرعت انتقال كربن و تحرك پذيري بهتر را در ترانزيستور هاي نسل جديد ايجاد كند و همچنين در مدارات مجتمع به كار برده شده مي‌تواند باعث جريان‌كشي كمتر كه خود منجر به توان مصرفي پايين‌تر و در نتيجه بهبود كارايي نسبت به ماسفت‌هاي سيليسيمي مي شود. كاركتر D1 يكي از ويژگي هاي مهم نانولوله‌هاي است كه محدوده مناسبي از بارهاي الكتريكي فراهم مي آورد و به اين ترتيب يك مشخصه الكترواستاتيك مناسب را فراهم مي‌كند كه در يك نوع ترانزيستور كابردي به نام CNTFET (ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني) ضروري است. ساختار نوار نانولوله هاي پيچيده شده مي تواند توسط ناحيه تاشونده و ساختار باند صفحه‌هاي گرافن بدست آيد. اين روش در اين تحقيق مورد استفاده قرار مي‌گيرد تا ويژگي‌هاي الكتريكي نانولوله‌هاي كربني شبيه‌سازي شده و تأثير سه باند تابع اوليه را در ويژگي الكتريكي CNTFET بررسي مي‌شود.
چكيده لاتين :
با توجه به افزايش روز افزون نياز به تراشه‌هايي با ابعاد كوچك تر ، استفاده از فناوري‌هاي جديد در ساخت ترانزيستورها به عنوان جزء اصلي تراشه‌ها ضروري به نظر مي‌رسد . پس از انجام آزمايش‌هاي بسيار دانشمندان به اين نتيجه رسيدند كه نانولوله‌اي كربني كه اساس ساختار آنها از كربن است مي‌تواند گزينه مناسبي براي ادوات الكترونيكي مبتني بر سيليكون باشند. استفاده از نانولوله هاي كربني مي‌تواند قدرت سوئيچينگ بالاتر، منحني ولتاژ به جريان ايده‌آل‌تر، توزيع سرعت انتقال كربن و تحرك پذيري بهتر را در ترانزيستور هاي نسل جديد ايجاد كند و همچنين در مدارات مجتمع به كار برده شده مي‌تواند باعث جريان‌كشي كمتر كه خود منجر به توان مصرفي پايين‌تر و در نتيجه بهبود كارايي نسبت به ماسفت‌هاي سيليسيمي مي شود. كاركتر D1 يكي از ويژگي هاي مهم نانولوله‌هاي است كه محدوده مناسبي از بارهاي الكتريكي فراهم مي آورد و به اين ترتيب يك مشخصه الكترواستاتيك مناسب را فراهم مي‌كند كه در يك نوع ترانزيستور كابردي به نام CNTFET (ترانزيستور اثر ميدان نانو لوله كربني) ضروري است. ساختار نوار نانولوله هاي پيچيده شده مي تواند توسط ناحيه تاشونده و ساختار باند صفحه‌هاي گرافن بدست آيد. اين روش در اين تحقيق مورد استفاده قرار مي‌گيرد تا ويژگي‌هاي الكتريكي نانولوله‌هاي كربني شبيه‌سازي شده و تأثير سه باند تابع اوليه را در ويژگي الكتريكي CNTFET بررسي مي‌شود.
