طراحي يك تقويت كننده توزيع شده جديد با پهناي باند بالا و نويز كم در تكنولوژي 0.13 ميكرومتر CMOS

Design Of A Novel Distributed Amplifier With High Bandwidth And Low Noise In 0.13µm CMOS

در اين مقاله يك تقويت كننده توزيع شده CMOS كه در سلول بهره آن از تركيب دو ساختار كسكود تنظيم شده استفاده شده ارائه و در تكنولوژي 0.13 µm CMOS شبيه سازي شده است. توپولوژي ارائه شده در اين مقاله باعث مي شود تا پهناي باند اين تقويت كننده به صورت چشمگيري افزايش يابد. از مزيت هاي مهم ديگر اين طراحي مي توان به بهره بالا، نويز خيلي كم و حفظ كامل تطبيق امپدانس ورودي و خروجي اشاره نمود كه در مقايسه با كارهاي انجام شده در اين تكنولوژي برتري آن كاملاً محسوس مي باشد. تعداد طبقات تقويت كننده در بهينه ترين حالت محاسبه شده و تعداد آن سه طبقه مي باشد. بهره تقويت كننده پيشنهادي 6/0±7/16 و پهناي باند 3-dB آن 5/26 گيگا هرتز مي باشد. تطبيق امپدانس ورودي و خروجي و ايزولاسيون معكوس بسيار خوب از مزيت هاي ديگر آن بوده كه باعث پايداري بيشتر تقويت كننده گرديده است. نويز اين تقويت كننده نيز داراي مقدار ميانگين 86/2 dB مي باشد و توان مصرفي آن 54/51 ميلي وات مي باشد.

In this paper a distributed amplifier in 0.13µm CMOS technology is presented. The gain cell of this amplifier is based on combination of two modified regulated cascode structures. This topology has greatly increased bandwidth. Also this design has high gain, low noise, perfect input and output matching, perfect reverse isolation in comparison with other similar designs. For this design the number of stages was calculated in optimum mode and achieved 3 stages. The simulated results of the proposed CMOS-DA are included 16.7 dB average power gain with less than ± 0.6 dB fluctuations over the 3-dB bandwidth of 26.5 GHz. The average noise figure of this design is 2.86 dB and dissipate 51.54 mW.