بهينه سازي قابليت اطمينان و انرژي سلول SRAM براي كاربردهاي IoT

Optimizing SRAM Bitcell Reliability and Energy for IoT Applications

در اين مقاله شش ساختار متفاوت سلول SRAM هشت ترانزيستوري از نظر قابليت اطمينان و توان مصرفي-پايين/ انرژي براي كاربردهاي (اينترنت اشياء)IoT با هم مقايسه شده اند. بيت سلول‌هاي متفاوتي با (ولتاژ آستانه بالا) H-VTو (ولتاژ آستانه استاندارد) S-VT براي بدست آوردن معيارهاي سلول SRAM هشت ترانزيستوري بررسي شده است. اين مشخصات بررسي شده براي سلول SRAM عبارتند از: (حاشيه نوشتن)WM ، (حداقل ولتاژ نگهداري داده) DRV، (حاشيه نويز ايستا نگهداري) HSNM ، (حاشيه نويز ايستاي خواندن)¬RSNM ، انرژي خواندن_نوشتن، و توان تلفاتي براي دو حالت نشتي¬پائين و انرژي¬كم همچنين قابليت اطمينان براي هر فرآيند بيت سلول از جهت تغييرات دما نيز بررسي شده است. شبي سازيها با تكنولوژي 22 نانومتر CMOS و به كمك نرم افزار Hspice انجام شده است.

This paper compares six different 8T SRAM bitcells targeting different design space requirements - such as reliability and low power/energy - for Internet of Things (IoT) applications. Different bitcells leverage the varying characteristics of high-threshold (H-VT) and standard-threshold (S-VT) devices to affect SRAM metrics like write margin (WM), Data Retention Voltage (DRV), Hold Static Noise Margin (HSNM), Read Static Noise Margin (RSNM), write and read energy, standby leakage power, and variability. The reliability for each bitcell over process (intra- and inter-die variation) and temperature variation is also evaluated.The design in CMOS 22 nm technology is simulated by using hspice software.