بهبود جذب در سلول خورشيدي Cu(In1-xGax)Se2 با استفاده از كانتكت پشتي نقره همراه با مكانيزم تله اندازي نور

كاهش ضخامت لايه جاذب، يك راه متداول براي كاهش هزينه هاي توليد است. اما با كاهش ميزان ضخامت لايه جاذب، ميزان جذب نور نيز كاهش مي يابد. براي غلبه بر اين مشكل، راه كار هاي متفاوتي پيشنهاد شده است. در اين مقاله، نتايج شبيه سازي را براي سلول خورشيدي CIGS بهينه شده به نمايش خواهيم گذاشت. در اين سلول، از كانتكت پشتي نقره براي كاهش تلفات نوري و همينطور از يك مكانيزم مهندسي گاف باند و نانوساختارهاي نقره، براي تله اندازي نور و افزايش جذب نور در لايه جاذب استفاده شده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهند كه با اين روش مي توان ميزان جذب نور را به مقدار 56/1%، در مقايسه با سلول بدون مهندسي گاف باند و با كانتكت پشتي Mo ، بهبود بخشيد.