شماره ركورد كنفرانس :
3737
عنوان مقاله :
افزايش سرعت عملكردترانزيستورهاي اثر ميدان مبتني بر نانو نوار كربن با فرم ZAZ
پديدآورندگان :
باقري فرزاد Farzad.baghrei.mnu@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه , محمدي جمشيد ma_jamshid@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه , سيروس نژاد فرهاد farhad.swf@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد ميانه
كليدواژه :
ترانزيستور , نانو نوار , گرافن , سوئيچ
عنوان كنفرانس :
اولين همايش ملي نوآوري هاي كاربردي در علوم مهندسي برق
چكيده فارسي :
در اين مقاله با استفاده از نرم افزار ATK به شبيه سازي و بررسي ترانزيستور¬هاي Ambipolar اثر ميدان نانو نوار گرافني با فرم ZAZ مي ¬پردازيم. تاثير پارامترهاي مختلف ساختار نانو نوار گرافني بر مشخصات ترانزيستور Ambipolar بررسي مي شود. نسبت جريان روشن به خاموش (Ion/Ioff) ترانزيستور يكي از كاربرد هاي مهم در سوئيچ كردن است. بنابراين در اين پايان نامه روش هاي مختلف بهبود نسبت Ion/Ioff را بررسي مي كنيم.
