شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P38. بررسي ابتدا به ساكن خواص ساختاري و الكتروني اتصال ناهمگونZnO[0001]/AgBr[111] براساس تقريب TB-mBJ
عنوان به زبان ديگر :
First principles study on the structural and the electronic properties of ZnO[0001]/AgBr[111] heterojunction
پديدآورندگان :
پيرهاشمي مهسا tavana.ali@gmail.com گروه شيمي، دانشكده علوم پايه دانشگاه محقق اردبيلي؛ , توانا علي tavana@uma.ac.ir گروه فيزيك، دانشكده علوم پايه دانشگاه محقق اردبيلي؛ , حبيبي ينگجه عزيز tavana.ali@gmail.com گروه شيمي، دانشكده علوم پايه دانشگاه محقق اردبيلي؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
اتصالات نا همگون نيمه هادي , فوتوكاتاليست ها , نظريه تابعي چگالي , 78.40.Fy , 71.23.-k , 73.40.-c , 31.15.A-.
سال انتشار :
1395
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين پژوهش خواص ساختاري و الكتروني مرز مشترك اتصال دو نيمه هاديZnO[0001]/AgBr[111] به روش ابتدا به ساكن نظريه تابعي چگالي مورد مطالعه قرار گرفته است. براي محاسبه ي دقيق تر خواص حالات الكتروني و گاف انرژي در تركيبات فوق، از روش پتانسيل بك-جانسون اصلاح شده توسط ترن و بلاها استفاده شده است. در اين رهيافت گاف هاي انرژي به دست آمده در تطابق بسيار خوبي با مقادير تجربي قرار دارند. جزييات چگونگي بهبود نتايج در اين رهيافت بررسي شده اند. ساختار هندسي بلوري كپه اي و مرز مشترك دو نيمه هادي با واهلش تعيين شده اند. محاسبات حالات الكتروني براي ZnO و AgBr با ساختار كپه اي و نيز اتصال ناهمگون آن دو در فصل مشتركشان انجام پذيرفته است و نتايج مورد بحث قرار گرفته اند.
چكيده لاتين :
In this study, the structural and electronic properties of the ZnO[0001]/AgBr[111] semiconductor heterojunction is investigated based on the ab initio density functional theory. In order to obtain more accurate results of the electronic states and the energy gap in those compounds, we have utilized the Tran and Blaha modified Becke-Johnson potential. In this approach the obtained energy gaps are in very good correspondence with the experimental values. Improvement of calculation in this approximation is investigated in details. The geometrical structure of the bulk crystal and the interface between two semiconductors are determined by relaxation. Electronic states calculations for the bulk ZnO and AgBr and their interface have been performed and the results are discussed.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت