P45. رابطه‌اي تحليلي براي محاسبه رسانش الكتروني يك نانوسيم سه‌پايانه‌اي در رهيافت تنگابست

An Analytical Formula for Calculating of Electronic Conductance of a Three-terminal nanowire at the tight-binding approach

در اين پژوهش با استفاده از روش تابع گرين در رهيافت تنگابست، ترابرد الكتروني يك نانوسيم متصل به سه هادي فلزي نيمه‌بي‌نهايت يكسان به‌طور كاملاً تحليلي بررسي شده است. در سامانۀ مورد نظر عبور الكترون را در دو مسير متفاوت، يكي از هادي چپ به هادي راست و ديگري از هادي چپ به هادي بالا، به صورت تابعي از جايگاه اتصال هادي سوم در سامانۀ مركزي بررسي مي‌كنيم. نتايج نشان مي‌دهد كه رسانش الكتروني در مسير از هادي‌ چپ به هادي بالا در مقايسه با مسير از هادي چپ به هادي راست بيشتر تحت تأثير جايگاه اتصال هادي سوم قرار مي‌گيرد.

In this research, the electronic transport of one nanowire attached to three identical semi-infinite metallic leads has been analytically considered by the use of Greenes function method within the tight-binding approach. In this system, we consider two directions of electronic transmission, one between left and top leads and the other between left and right leads, as a function of contact position of third lead in the center system. The results show that the electronic left-to-top conductance is more affected by contact position of third lead with compared to the left-to-right one.