شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P175. ويژگي‌هاي ساختاري و الكتروني تك‌لايه‌هاي گرافين‌گونه (0≤x≤1) MoxNb1-xS2 : محاسبات اصول اوليه
عنوان به زبان ديگر :
Structural and Electronic Properties of Graphene-Like Mo_x Nb_(1-x) S_2 (0 ≤ x ≤ 1) Monolayers: First Principles Calculations
پديدآورندگان :
كشاورز صفري ابراهيم e.keshavarz@basu.ac.ir گروه فيزيك، دانشگاه بوعلي سينا، همدان؛ , شكري علي اصغر aashokri@pnu.ac.ir گروه فيزيك، دانشگاه پيام نور، تهران؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
محاسبات اصول اوليه , نظريه تابعي چگالي , MoS2 , NbS2 , ويژگي هاي الكتروني و ساختاري , 70 , 75 , 80 , 81
سال انتشار :
1395
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله، با استفاده از محاسبات اصول اوليه مبتني بر نظريه تابعي چگالي به بررسي تغييرات گاف نواري و چگالي حالات آلياژهاي دوبعدي تك‌لايه Mo_x Nb_(1-x) S_2، (0≤x≤1) كه داراي ساختاري گرافين‌گونه است پرداخته‌ايم. ويژگي‌هاي ساختاري از قبيل طول‌هاي پيوند واهلش‌يافته، ثوابت شبكه، ضخامت لايه‌ها و نيز ويژگي‌هاي الكتروني از قبيل رسانندگي الكتريكي و ساختار نواري اين آلياژ با درصدهاي متفاوتي از اتم‌هاي موليبدن و نيوبيم به دست آورده‌ايم. نتايج نشان مي‌دهند كه ورقه NbS_2 گرافين‌گونه خالص (x=0) رسانا بوده و با افزايش درصد اتم‌هاي Mo، از ميزان رسانندگي الكتريكي اين آلياژهاي دوبعدي كاسته مي‌شود، به‌طوري‌كه ورقه MoS_(2 )گرافين‌گونه خالص (x=1) نيمه‌رساناست.
چكيده لاتين :
In this paper, using the first-principles calculations based on density functional theory (DFT), we have been studied the changes in band-gap and density of states of monolayer MoxNb1-xS2 (0 ≤ x ≤ 1) 2D-alloys that have graphene-like structures. We obtained the structural properties such as relaxed bond lengths, lattice constants, thickness of layers, as well as electronic properties such as electrical conductivity and band structure of these alloys containing of various percentages of molybdenum and niobium atoms. The results show that graphene-like pure NbS2 sheet (x=0) is conductor and as Mo atoms percentages rise, the value of electrical conductivity of these 2D-alloys is reduced, so that graphene-like pure MoS2 sheet (x=1) is semiconductor.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت