P100. بررسي آستانه تخريب ليزري لايه نازك پنتاكسيد تانتاليم، Ta2O5، توليد شده به روش كند و پاش مغناطيسي

Investigation of laser damage threshold Tantalum Pentoxide, Ta2O5, produced by magnetron sputtering

در اين مقاله، لايه هاي نازك پنتاكسيد تانتاليم، Ta2O5، با روش كندوپاش مغناطيسي بر روي زير لايه شيشه‌اي از جنس لام توليد شده‌اند. توان منبع تغديه براي همه نمونه ها مقدار ثابت 400 وات انتخاب شده اند. اما فشار كاري براي هر نمونه متفاوت است. ثابت هاي اپتيكي n و k با اندازه گيري طيف عبور هر نمونه توسط اسپكتروفوتومتر محاسبه شده اند. آستانه تخريب هر نمونه توسط ليزر Nd : Yag در طول موج 1064 نانومتر اندازه گيري شدند. نتايج به دست آمده براي آستانه تخريب ليزري هر نمونه با توجه به مقادير ثابت هاي اپتيكي آنها تحليل شده است

In this paper, thin film of tantalum pentoxide, has been produced by RF magnetron sputtering on the glass substrate as slides. The optical constants n and k each sample are calculated by measuring the transmission spectrum by spectrophotometer. The power of RF and thickness film were equal (400 W) for our samples. However working pressure was different for each sample. Laser damage threshold is measured by a Nd :Yag laser with 1064 nm wavelength. The results obtained for laser damage threshold according to each sample are analyzed by their optical constant values.