شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
A18. ساخت فيلم تك لايه و چندلايه mos2 با روش رسوب شيميايي بخار
عنوان به زبان ديگر :
Synthesis of monolayer and multilayer mos2 films by chemical vapor deposition method
پديدآورندگان :
رحمتي بهاره niko.rahmati@yahoo.com دانشكده فيزيك دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , محمد بيگي ميلاد beagy2@gmail.com دانشكده فيزيك دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , حاج زاده ايردموسي ايمان i_hajzadeh@sbu.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , محسني سيد مجيد m-mohseni@sbu.ac.ir دانشكده فيزيك دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , حسين زادگان احمد Ahmadhoseinzadegan@gmail.com پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , بحريني مريم m_bahreini@sbu.ac.ir پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي ،؛ , توسلي سيد حسن h-tavassoli@sbu.ac.ir پژوهشكده ليزر و پلاسما، دانشگاه شهيد بهشتي ،؛
كليدواژه :
mos2 , cvd , monolayer , 81.05
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
ساختار mos2 دوبعدي به دليل خواص الكتريكي و نوري منحصر به فرد خود، نظير كنترل گاف انرژي بر اساس ضخامت، ماده اي كاربردي براي دستگاه هاي الكترونيكي و الكترونيك نوري است. بنابر اين ساخت اين ماده در مقياس بزرگ و با كنترل ضخامت از تك لايه به چند لايه اخيرا مورد توجه قرار گرفته است.در اين مقاله ما روش ساخت فيلم و تك لايه mos2 روي زيرلايه si/sio2 را با روش رسوب شيميايي بخار معرفي نموديم. از پودرهاي moo3 و گوگرد به عنوان مواد اوليه استفاده شد و پس از رشد آناليز ريخت شناسي SEM و همچنين آناليز رامان به منظور تعيين ضخامت ميانگين مورد بررسي قرار گرفتند. با توجه به نتايج سطح مورد نظر در مناطق مختلف به صورت توده اي (شامل بلورك هاي ميكرومتري) ، فيلم جند لايه و همچنين حوزه هاي كسسته ي مثلثي تك لايه اي رشد كرده بودند.
چكيده لاتين :
mos2 is a practical material for electronic and optoelectronic devices due to its uniqe electrical and optical properties including the bandgap modulation with film thickness. So large scale production of this material with thickness control from single to few layers has yet to be domenstrated. In this article, we introduce a method for growthing film and single layer mos2 on 𝑆𝑖/𝑆𝑖𝑂2 substrate by chemical vapor deposition method. moo3 and sulphur were used as source material. After growth, SEM and raman analysis were used for investgating the morphology and thickness of the films. As a result, the surface growths such as bulk, multilayer film and discrete monolayer triangular domains in different areas.
