P18. بررسي تأثير فاصله ناخالصي از صفحه­ فسفرين بر روي ساختارنواري آن

The effect of impurity’s distance from Black Phosphorene nanosheets on its band structure

نواقص شبكه و حضور ناخالصي از مهم­ترين عوامل تاثير گذار بر روي خواص الكتريكي مواد دو بعدي است. در نيم­رساناي دوبعدي فسفرين، به دليل دارا بودن ساختار ناهمسانگرد، فاصله ناخالصي مي­تواند عامل مهمي در نحوه تاثير گذاري نواقص شبكه بر خواص الكتريكي فسفرين باشد. با استفاده از روش محاسبات اوليه، نشان داده­ايم كه اتم فسفر خارج شده از صفحه­، هنگامي كه در فاصله­اي از 4/2 تا 7/2 آنگسترمي صفحه قرار مي­گيرد، باعث تغيير در اندازه و محل گاف و خواص الكتريكي و مغناطيسي نانو صفحه مي­شود.

Defects and existence of impurities are two of most important factors on black phosphorene nanosheets (BPN) properties. In 2D semiconductor BPN, because of it puckered structure, distance can have a great impact on its electric and magnetic properties. Using the first-principle calculation, we show that for different distance of a displacement phosphorus atom from the BPN we, from 2.4 to 2.7 Å, we will see different properties of BPN.