شماره ركورد كنفرانس :
3746
عنوان مقاله :
P27. بررسي خواص اپتوالكترونيكي تركيب CdGa2S4 تحت فشار
عنوان به زبان ديگر :
Investigation of the optoelectronic properties of CdGa2S4 under pressure
پديدآورندگان :
بصيرت شيوا Basirat.shiva@gmail.com گروه فيزيك ، دانشگاه پيام نور مشهد ،؛ , رهنماي علي آباد حسين اصغر h_rahnamay@yahoo.com گروه فيزيك ، دانشگاه حكيم سبزواري ،؛
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله خواص اپتوالكترونيكي تركيب CdGa2S4 در فشارهاي مختلف محاسبه شده است. در محاسبات مان از نظريه تابعي چگالي (DFT ) و از تقريبهاي شيب تعميم يافته (GGA) و بك جانسون اصلاح شده (mBJ) استفاده كرده ايم. نتايج نشان مي دهد كه با افزايش فشار تاGPa 4.58 گاف انرژي افزايش مي دهد و بعد از اين فشار با افزايش آن گاف انرژي كاهش مي يابد. نشان داده شده است كه با افزايش فشار تا GPa 0.58 مقدار تابع دي الكتريك استاتيك كاهش و در فشارهاي بالاتر افزايش مي يابد. بنابراين حواص اپتوالكترونيكي به فشار حساس مي باشند.
چكيده لاتين :
In this paper, optoelectronic properties of CdGa2S4 have been calculated at various pressures. In our calculation, we have used density function theory (DFT), generalized gradient approximation (GGA) and modified Becke–Johnson (mBJ). The results showed that an increase in pressure to 4.58 GPa increases the band gap then it is decrease with increase in pressure to 20 GPa. It is shown that with increasing pressure the statice dielectric function are decreased to 0.58 GPa then it is increased with increase in pressure to 20 GPa. Therefore, optoelctronic properties are sensitive to pressure.
