طراحي يك سلول جديد حافظه از نوع 7 ترانزيستوري با پارامتر RSNM بهبود يافته، مناسب براي كاربردهاي توان پايين

حافظه هاي SRAM در كاربرد هاي فراواني همانند حافظه هاي كش (Cache) و به طور كلي حافظه هاي نزديك به CPU مورد استفاده قرار مي گيرند. طراحي اين حافظه ها و توجه به پارامترهاي مهم و اساسي اين حافظه ها به دليل كاربرد فراوان، بسيار مهم مي باشد. سلول 7 ترانزيستوري ارائه شده در اين مقاله، داراي دو مسير متفاوت براي عمليات خواندن و نوشتن است كه باعث افزايش قابل توجه پارامتر RSNM شده است. اين سلول با فضاي اشغالي مناسب و در تكنولوژي PTM 65nm CMOS شبيه سازي شده است. بر اساس نتايج شبيه سازي¬هاي انجام شده در نرم افزار Hspice، پارامتر RSNM در سلول پيشنهادي به اندازه 2.1X نسبت به سلول 7 ترانزيستوري بهبود يافته است. همچنين با انتخاب سايز نامتقارن براي ترانزيستورهاي بالاكش و پايين كش و اعمال باياس بدنه به ترانزيستور دسترسي، پارامتر WM0 به اندازه 1.11X بهبود يافته است. در نهايت مصرف توان استاتيك سلول پيشنهادي به ميزان 7.61X نسبت به بهترين سلول 7 ترانزيستوري قبلي كاهش يافته است.