شماره ركورد كنفرانس :
3752
عنوان مقاله :
بررسي تاثير پيكربندي مجدد مدار با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانولوله كربني بر حاصل ضرب تاخير در مصرف توان مدارهاي تمام جمع كننده مد جريان
پديدآورندگان :
ميرزائي چرخي مهدي دانشكده مهندسي كامپيوتر، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامي، نجف آباد، ايران , زنجاني سيد محمد علي دانشكده مهندسي برق، واحد نجف¬آباد، دانشگاه آزاد اسلامي، نجف آباد، ايران
كليدواژه :
تمام جمع كننده , مد جريان , ترانزيستور اثر ميدان نانولوله كربني , ماسفت , حاصل ضرب تاخير در مصرف توان
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس بين المللي مهندسي و علوم كامپيوتر
چكيده فارسي :
در اين مقاله، چهار مدار تمام جمع كننده مد جريان ارائه شده با فناوري CMOS با هم مقايسه مي شوند. سپس اين مدارها با ترانزيستورهاي CNTFET پيكربندي مجدد شده اند. پارامتر حاصل ضرب تاخير در مصرف توان آن ها در نرم افزار HSPICE و با شرايط يكسان، مقايسه و بهبود تقريبي 15 برابري PDP رويت مي شود. ضمن آن كه در پياده سازي با CNTFET نياز به خازن بار بزرگ نيست كه مي تواند منجر به بهبود چند ده برابري PDP شود.
