استفاده از ترانزيستورهاي نانو كربني براي كاهش توان مصرفي و تاخير در تقسيم كننده ها

امروزه نانوكربن¬ها بخاطر توانايي منحصر به فردشان از جمله ابعاد كوچك، سرعت زياد و توان مصرفي پايين توجه بسياري از دانشمندان را در به استفاده از آن¬ها در طراحي مدارها جلب كرده است. ترانزيستورهاي اثر ميداني كه با استفاده از نانو لوله¬هاي تك بعدي نيمه¬رسانا ساخته مي¬شوند، در مقايسه با ترانزيستورهاي سيليكوني داراي سرعت و توان مصرفي و PDP بهتر مي¬باشند همين ويژگي¬ها باعث شده است كه استفاده از اين ترانزيستورها منجر به ارائه مدارهاي بهينه¬تر نسبت به مدارهاي نسل گذشته گردد. از جمله اين مدارها مي¬توان به تقسيم¬كننده¬ها اشاره كرد كه نقش مهمي در طراحي¬هاي مدارهاي پيچيده¬تر دارد. در اين مقاله مروري بر كارهاي گذشته در استفاده از اين فن¬آوري در طراحي مدارهاي پايه و علي الخصوص تقسيم¬كننده¬ها صورت گرفته است.