بررسي تأثير نيروهاي مغناطيسي خارجي در رسوب¬دهي الكتروشيميايي نانوسيم¬ها و نانوميله¬هاي كبالت

رسـوب¬دهـي الكتروشـيميايي بـا اسـتفاده از جريــان متنـاوب يكـي از روش¬هاي مهـم جهـت ايجــاد نانوسيم¬هاي مغناطيسي در داخل تمپليت اكسيد آندي آلومينيوم (AAO) به دليـل حضـور لايـه مـانع در انتهاي حفرات مي¬باشد. ساختار كريستالوگرافي نانوسيم-هاي كبالت از نـوع hcp بوده است كه داراي جهت¬گيري ترجيهي در راستاي جهت [002] عمود بر محور نانوسيم مـي¬باشـد. در اين مطالعه بر اساس نمودارهاي زمان-جريان بدست آمده در حضور و عدم حضور ميدان مغناطيسي خارجي مشخص گرديد كه در حضور ميدان، نرخ¬هاي رسوب¬دهي فلز با دانسيته شار مغناطيسي افزايش مي¬يابد كه اين پديده به واسطه همرفت نيروي لورنتس ايجاد مي¬شود، يعني اثر هيدروديناميك مغناطيسي، كه انتقال جرم يون¬هاي فلزي اطراف سطح الكترود را افزايش داده و حفره¬ها سريع¬تر پر مي¬شوند. اين درحالي است كه در حالت بدون ميدان مغناطيسي اين فرايند (پر شدن حفرات) در حدود دو برابر زمان حالت اول صورت مي¬گيرد. با توجه به خواص مطلوب نانوسيم¬هـاي كبالـت، ماننـد مغنـاطش و دمـاي كوري بالا و خصوصيات مناسب تمپليت¬هاي اكسيد آلومينيوم منظم آرايه نانوسيم¬هاي كبالـت خـالص در حضور و عدم حضور ميدان مغناطيسي خارجي رسوب¬دهي گرديد و بعد از انحلال تمپليت و تهيه الگوي پراش اشعه ايكس، كاهش شدت پيك (002) مربوط به نمونه¬هاي سنتز شده در حضور ميدان مغناطيسي نشان دهنده چرخش و جهت¬گيري كريستالي نانوسيم¬هاي كبالت از راستاي عمود به محور چرخش به راستاي موازي با محور نانوسيم¬ها مي¬باشد.