بررسي رسانش الكتريكي حلقه ي گرافايني متصل به دو الكترود كومولني با استفاده از نظريه ي تابعي چگالي و مدل تنگابست

در اين تحقيق با استفاده از مدل تنگابست رسانش الكتريكي سيستمي متشكل از يك حلقه ي گرافايني كه به دو الكترود از جنس كومولن متصل است مورد بررسي قرارداده ايم و سپس با رسانش سيستمي مشابه كه در آن حلقه ي گرافايني با حلقه ي مولكول بنزن جايگزين شده است مورد مقايسه قرار داده ايم. مشخصات ساختاري حلقه هاي مورد بررسي را با استفاده از محاسبات نظريه ي تابعي چگالي بدست آورده ايم. لازم به ذكر است كه مولكول بنزن و حلقه ي مولكولي گرافاين شكل مولكولي واحدهاي تكرار شونده ي دو صفحه ي گرافيني و گرافايني است. و در نهايت نتيجه گرفته ايم كه گاف نواري كربن هاي دوبعدي در اثر تغيير ساختار مخصوصا با تغيير تعداد پيوند هاي سه گانه قابل مهندسي است.