شماره ركورد كنفرانس :
3822
عنوان مقاله :
تجزيه و تحليل آنتن پچ ميكرواستريپ بر مبناي ساختارهاي فوتونيك كريستال
پديدآورندگان :
كرمي فرزاد دانشجوي كارشناسي ارشد مهندسي برق مخابرات_ميدان و امواج دانشگاه سمنان , دانايي محمد استاديار گروه الكترونيك دانشكده مهندسي برق و كامپيوتر دانشگاه سمنان
كليدواژه :
ميكرواستريپ , فوتونيك كريستال , تراهرتز , امواج سطحي , راندمان آنتن
عنوان كنفرانس :
چهارمين كنفرانس ملي فناوري اطلاعات، كامپيوتر و مخابرات
چكيده فارسي :
در اين مقاله يك آنتن پچ ميكرواستريپ كه در باند فركانسي تراهرتز عمل مي كند و بر روي يك زير لايه فوتونيك كريستال دو بعدي ايجاد شده است مورد بررسي و شبيه سازي قرار مي گيرد.به كمك اين شبيه سازي آنتن طراحي شده مذكور مي تواند در 5 نقطه فركانسي در محدوده تراهرتز با راندمان تشعشعي بين 70 تا 80 درصد تشعشع كند كه نشان از عملكرد بهينه و مناسب اين آنتن دارد.يكي از روش هاي افزايش گين در آنتن هاي پچ ميكرواستريپ استفاده از زير لايه هاي ضخيم دي الكتريك بعنوان زير لايه آنتن مي باشد كه اين امر موجب ايجاد امواج سطحي مزاحم بر روي آنتن و تضعيف عملكرد آنتن مي شود.در اين مقاله با استفاده از يك ساختار فوتونيك كريستال بعنوان زير لايه آنتن شاهد كاهش تلفات ناشي از پديده انتشار امواج سطحي بر روي آنتن و همچنين افزايش چشمگير گين،سمت گرايي و راندمان تشعشعي در اين نوع از آنتن ميكرواستريپ مي باشيم.
