آرايه آنتن هاي ميكرواستريپ پچ با ساختار زمين ناقص براي بهبود خواص تشعشعي

ساختارهاي زمين ناقص براي بهبود خلوص پلاريزاسيون در ميدان هاي تشعشعي مورد استفاده قرار مي گيرند از اين نوع ساختارها براي اولين بار در سال2005 براي بهبهود خواص تشعشعي آنتن هاي ميكرواستريپ استفاده شد.از آن به بعد چند نوع طراحي و آنتن جديد براي كاربردهاي مختلف با اين هندسه ساختاري زده شد. در اين ساختارها پيش بيني مي شد كه سطح Xp بين 10 تا 15 دسي بل و به صورتي خاص در صفحه ي H كاهش پيدا كند كه در نتيجه بيشتر از 25 دسي بل ايزولاسيون بين co و cross در صفحات اصلي بوجود مي آيد كه باعث بهبود خلوص پلاريزاسيون مي گردد،در اين مقاله براي چهار نسبت مختلف عرض به طول پچ 0.8و1و1.3و1.6 بررسي هايي صورت گرفته است كه به كمك ساختارهاي زمين ناقص اين نقص هاي شكسته باعث تاثير در خواص تشعشعي صفحه ي H مي شوند.اين كار خلوص پلاريزاسيون رو به ما مي دهد كه ايزولاسيون بين ميدان هاي co و cross بالاي 25 دسي بل است.