طراحي و شبيه‌سازي تقويت‌كننده عملياتي ريل تا ريل با عملكرد بالا

در اين مقاله، يك تقويت‌كننده ريل تا ريل در طبقه ورودي ارائه شده است كه با استفاده از تكنيك تغيير سطح ولتاژ، ضريب ترارسانايي براي مدار ثابت نگه داشته شده است. همچنين استفاده از فيدبك مثبت در طبقه خروجي، سبب شده است كه رسانايي خروجي حذف شود. مدار تقويت‌كننده پيشنهادي نسبت به تقويت‌كننده ريل تا ريل مرسوم، عملكرد بهتري دارد كه براي مقايسه عادلانه هر دو مدار در نرم‌افزار Cadence در تكنولوژي 180 نانومتر CMOS و با تغذيه 5/1 ولت و بار خازني خروجي 1 پيكوفاراد شبيه‌سازي شده‌اند. بهره DC براي مدار پيشنهادي 25/87 دسي‌بل به‌دست آمده است. همچنين حاشيه‌فاز و پهناي باند تقويت‌كننده نيز به‌ترتيب برابر با 4/67 درجه و 13 مگاهرتز مي‌باشند. توان مصرفي براي تقويت‌كننده ارائه شده با توجه به ولتاژ كم تغذيه، 8/498 ميكرووات مي‌باشد كه توان مصرفي مناسبي نسبت به كارهاي مشابه محسوب مي‌شود.