شماره ركورد كنفرانس :
3926
عنوان مقاله :
اثر ميدان حاشيهاي گيت در ترانزيستورهاي نانوسيم بدونپيوند با مهندسي ماده گيت
پديدآورندگان :
دادي زاده ايلقار ilghar.dadizadeh@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي، واحد قزوين، دانشكده برق و مهندسي پزشكي، قزوين، ايران , شاه حسيني علي shahhoseini@qiau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، واحد قزوين، دانشكده برق و مهندسي پزشكي، قزوين، ايران
كليدواژه :
ترانزيستور بدون پيوند , گيت احاطه كننده , ميدان حاشيه اي گيت , مهندسي ماده گيت.
عنوان كنفرانس :
بيست و چهارمين كنفرانس مهندسي برق ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله اثر ميدان حاشيهاي گيت به سورس و درين را در ترانزيستور نانوسيم بدونپيوند بررسي كردهايم. ترانزيستورهاي بدونپيوند فرايند ساخت را تسهيل كرده و مشخصات الكترونيكي مطلوبي را فراهم ميكنند. اثرات ميدان حاشيهاي را در ساختار استوانهاي با گيت احاطهكننده بررسي كردهايم. سپس مفهوم مهندسي ماده گيت، با تقسيمبندي گيت به دو و سه ناحيه با طولهاي مختلف در جهت طول گيت و انتخاب توابع كار متفاوت براي هر ناحيه، را به اين ساختار اعمال كردهايم. نتايج حاصل از شبيهسازي نشان ميدهد كه اثرات كانال كوتاه از جمله تغيير ولتاژ آستانه و كاهش سد ناشي از درين و شيب زيرآستانه به شدت كاهش يافته و نسبت جريان روشن به خاموش بسيار بهبود يافته است. به منظور شبيهسازي كامپيوتري از روش حل خودسازگار معادله پواسون – شرودينگر از طريق روال تابع گرين غيرتعادلي با استفاده از نرمافزار اطلس سيلواكو استفاده شدهاست.
