ارائه يك ساختار جديد از ترانزيستور اثر ميداني باله اي با نواحي سيليسيم- ژرمانيوم تزريق شده به اكسيد مدفون به منظور كاهش اثرات خودگرمايي

در اين مقاله يك ساختار جديد ازترانزيستور اثرميداني باله اي با تكنولوژي سيليسيم بر روي عايق ارائه شده است. در اين ساختار دو ناحيه سيليسيم - ژرمانيوم به عنوان بخشي از ناحيه اكسيد مدفون قرار گرفته است كه ترانزيستور اثرميداني با نواحي سيليسيم- ژرمانيوم تزريق شده به اكسيد مدفون نامگذاري مي شود. ايده اصلي در اين ساختار كاهش اثرخودگرمايي با استفاده از نواحي سيليسيم- ژرمانيوم تزريق شده به اكسيد مدفون وكاهش تجمع حاملها در انتهاي كانال ونزديكي سورس مي باشد. نتايج ما با شبيه ساز سه بعدي اطلس نشان مي دهد كه ساختار پيشتهادي، يك اثر كانال كوتاه قابل قبول، يك مقاومت سري كاهش يافته، يك جريان درين نرماليزه افزايش يافته و بهترين رفتار در دماي بالا نسبت به ساختار معمولي را نمايش مي دهد. بنابر اين مي توان كاربردهاي ترانزيستور اثرميداني باله اي در دماهاي بالا را با استفاده از ترانزيستور اثرميداني با نواحي سيليسيم- ژرمانيوم تزريق شده به اكسيد مدفون را گسترش داد. نتايج ما نشان مي دهد كه ساختار پيشنهادي يك ساختار مناسب در ساختارهاي نانو مقياس مي باشد.