مطالعه ي محاسباتي جذب مولكول هاي HCN، CO و ClCN در نانولوله ي SiC داراي ناخالصي B به روش DFT

Computational study of adsorption (HCN, CO, ClCN) molecules on the B-doped SiC nonotubes by DFT method

دراين تحقيق با بهره گيري از نظريه تابع چگالي (DFT) ، روش B3LYP و سري پايه G* 6-31 اثر جذب مولكول هاي CO , ClCN , HCN را روي نانولوله هاي تك ديواره آرمچير (4و4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسي قرار گرفته است. باتوجه به روند تغييرات در فاصله بين اوربيتال هاي HOMO و LUMO مدل هاي مورد مطالعه مي توان نتيجه گرفت كه بيشترين رسانايي الكتريكي در مدل B dope C ClCN-Attached و كمترين رسانايي در مدل خالص ديده مي شود. نتايج جدول جذب سطحي نشان مي دهد كه بيشترين ميزان جذب سطحي در مدل B dope Si ClCN-Attached و كمترين ميزان جذب سطحي در مدل B dope Si HCN-Attached ديده مي شود.با توجه به نتايج اين پژوهش مي توان نتيجه گرفت كه مطلوب ترين گزينه مورد مطالعه مولكول ClCN مي باشد

In this study we using density functional theory (DFT), B3LYP method and 6-31G * basis set for absorption of CO, HCN and ClCN molecules on B-doping in SiC nanotubes. According to the results of band gap that the highest electrical conductivity in the B dope C ClCN-Attached and the lowest conductivity in Pristine can be seen. Adsorption results show that the highest adsorption in B dope Si ClCN-Attached and least adsorption in B dope Si HCN-Attached seen. According to the results of adsorption B dope C ClCN-Attached is most appropriate.