بررسي عملكرد يك تقويت‌كننده كم نويز براي كاربردهاي بسيار كم‌توان بلوتوث در تكنولوژي 180 نانومتر CMOS

در اين مقاله يك تقويت‌كننده كم نويز با توان بسيار پايين طراحي شده است. در ساختار طراحي شده با استفاده از مقاومت فيدبك و همچنين استفاده دوباره از جريان ترانزيستور NMOS به‌وسيله ترانزيستور PMOS تا حدود زيادي مصرف توان كاهش داده شده و در عين حال ترا رسانايي تقويت‌كننده تقريباً دو برابر شده است. در اين ساختار در نقاطي كه بارهاي خازني باعث افت پهناي باند شده بودند از سلف‌هاي مناسب استفاده كرده و پهناي باند تا حدود زيادي گسترش داده شده است. تقويت-كننده پيشنهادي در پروسه 180 نانومتر CMOS، با استفاده از نرم افزار cadence شبيه سازي شده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد كه تقويت كننده طراحي شده توان مصرفي در حدود 99/0 ميلي وات و بهره بزرگ‌تر از 12 دسي‌بل، در فركانس مركزي 4/ 2 گيگاهرتز دارا مي باشد. عدد نويز اين ساختار در اين فركانس كمتر از 8/2 دسي‌بل است.