اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز – اكسيد – نيم رسانا

از زماني كه اولين ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز – اكسيد – نيم رسانا در سال 1960 با موفقيت ارائه شدند، به منظور تامين تقاضاي روزافزون براي سرعت بالاتر، ابعاد كوچكتر و ارزانتر، تاكنون تلاش هاي زيادي انجام شده است. كوچك سازي ابعاد ترانزيستورها، بدون تغيير اساسي در ساختار آن ها، با محدوديت ها و مشكلاتي همراه بوده است. از جمله اين موارد مي توان به اثرات كانال كوتاه، جريان تونل زني گيت، شكست دي الكتريك و اثرات حامل هاي داغ اشاره نمود. در اين مقاله در ابتدا به بررسي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز – اكسيد – نيم رسانا و دلايل كوچك سازي ابعاد ترانزيستور پرداخته مي شود و در ادامه اثرات كانال كوتاه كه به دليل مقياس شدن ترانزيستور ايجاد مي شود، مورد مطالعه قرار مي گيرد و تاثير مقياس نمودن ترانزيستور بر منحني مشخصات آن رسم مي گردد.