اثرات جايگزيني ناخالصي C ، Si و Ge بر پارامترهاي ساختاري، الكتروني و NMR در نانولوله ) 5 , )5 بريليم اكسايد به روش DFT

به منظور بررسي اثرات ناخالصي ژرمانيوم ، سيليسيم و كربن بر ويژگيهاي ساختاري الكتروني شامل طول پيوند، زواياي پيوند، قطرها، ممان دو قطبي، فاصله انرژي بين HOMO و LUMO و پارامترهاي NMR نانولوله هاي بريليم اكسايد ) 5 , 5( مدل آرمچير، BeONTs 1 نانومتر شامل 76 اتم / ، به طول 76 Be و 76 اتم O را درنظر گرفتيم. براي كاهش زمان محاسبه و جلوگيري از اثرات معلق بودن، دهانه هاي نانو تيوب توسط اتمهاي هيدروژن اشباع گرديد. محاسبات DFT در سطح B3LYP و بر پايه 6-31G* به كمك نرم افزار گوسين 03 انجام گرديد. جانشيني اتمهاي C ، Si و Ge با يك اتم Be در لايه ششم انجام گرفت . محاسبات نشان مي دهد در همه مدل هاي ناخالص شده ، اتمهاي اكسيژن متصل شده به اتم ناخالصي نسبت به ساير اتمهاي اكسيژن كوچكترين مقادير حفاظت شيميايي را دارند. طول پيوند و قطر دهانه ها در مدل هاي ناخالص شده تغييري نداشت. در مقايسه با مدل خالص ΔEg در مدل هاي ناخالص كاهش و هدايت الكتريكي آنها افزايش مي يابد. نتايج NMR آشكار ساخت كه با ورود ناخالصيها به ويژه كربن فعاليت اين نانولوله ها براي شركت در برهم كنشهاي بين مولكولي بيشتر مي شود. داده هاي كوانتومي مثل الكترونخواهي، نرمي و پتانسيل شيميايي همگي اين نتايج را تاييد مي كنند.