بررسي تأثير ميدان مغناطيسي بر مورفولوژي نانو الياف در فرآيند الكتروريسي

الكتروريسي يكي از مهم‌ترين فرايندهاي توليد نانو الياف در سال‌هاي اخير است. در اين فرايند ميدان الكتريكي قوي بين نازل حاوي محلول پليمري و جمع كننده اعمال مي‌شود و جت الكتروريسي را تشكيل مي‌دهد. جت ايجادشده يك سري ناپايداري‌هاي خمشي را در فاصله‌ي الكتروريسي تحمل مي‌كند و به دليل حركت نامنظم جت، نانو الياف به‌طور تصادفي تشكيل لايه‌اي را بر روي جمع كننده مي‌دهند كه به دليل سرعت بالاي جت، كنترل ناحيه‌ي تجمع مشكل است، اما روش‌هاي مختلفي براي كنترل جت و ناحيه‌ي تجمع وجود دارد. با استفاده از ميدان مغناطيسي خارجي امكان كنترل ناپايداري خمشي وجود دارد. در اين تحقيق با استفاده از قرارگيري آهنربا دائمي در موقعيت‌هاي مختلف، الكتروريسي نانو الياف در حضور ميدان مغناطيسي صورت پذيرفت. سپس با استفاده از ميكروسكوپ الكتروني تصاويري از وب‌هاي توليدشده تهيه شد و مورد تجزيه تحليل آماري قرار گرفت.نتايج به‌دست‌آمده نشان مي‌دهد حضور ميدان مغناطيسي موجب كاهش 20 تا 28 درصدي قطر نانو الياف در موقعيت هاي مكاني مختلف شده است كه تأثير چشمگيري در بهبود توليد نانو الياف و ارايش يافتگي آنها داشته است.