انتقال حرارت جابجايي توأم در محفظه c شكل تحت ميدان مغناطيسي حاوي نانوسيال

در اين مقاله انتقال گرماي جابجايي توأم آزاد و اجباري در يك محفظ c شكل حاوي نانوسيال به روش عددي بررسي شده است. اثر جابجايي آزاد از طريق ورود جريان يكنواخت سرد خارجي منظور شده است. اين جريان از پايين محفظ وارد شده و از بالا خارج مي شود و ديوارۀ سمت چپ نيز در دماي Th مي باشد. هم چنين اين محفظه تحت اثر ميدان مغناطيسي يكنواختي قرار دارد. معادلات حاكم بر جريان از روش حجم كنترل و استفاده از الگوريتم سيمپل حل شده اند و ميدان هاي جريان، دما و ميزان انتقال گرما پيش بيني شده است. بررسي ها به ازاي تغيير اعداد ريچاردسون ( بين۰/۱تا ۱۰) رايلي (از ۳^۱۰ تا ۶^۱۰) هارتمن (از ۰ تا ۴۰) و درصد حجمي نانوذرات ( از ۰ تا ۰/۰۵) در حالت دائم انجام شده است. نتايج اين بررسي حاكي از افزايش انتقال حرارت با افزايش عدد رايلي و درصد حجمي نانوذرات است ولي با افزايش اعداد ريچاردسون و هارتمن، انتقال حرارت كاهش مي يابد.