بررسي رفتاراكسيداسيون دمابالاي پوشش هاي تدريجي هدفمند بر پايه SiC

به منظور محافظت از قطعات كربني در برابر اكسيداسيون، از انواع پوشش¬هاي تك لايه و چند لايه استفاده مي-شود. در اين ميان SiC به عنوان پوششي كه داراي انطباق فيزيكي و شيميايي مطلوبي با زير لايه كربني است، گزينه مناسبي محسوب مي¬شود. در اين پژوهش جهت افزايش مقاومت در برابر اكسيداسيون از پوشش¬هاي تك لايه SiC استفاده شد. پوشش با استفاده از روش رخنه¬دهي واكنشي مذاب (RMI) در بستري از پودر هاي Si ،SiC و Al2O3 ، در دماي 1600 درجه سانتيگراد و در اتمسفر گاز آرگون بر روي زير لايه گرافيتي اعمال گرديد. بررسي¬هاي ميكروسكوپ الكتروني و آناليز XRD تشكيل پوشش گرادياني SiC با ضخامت تقريبي µm500 همراه با شيب غلظتي عناصر C و Si در ضخامت پوشش را تاييد مي¬نمايد. نمونه¬هاي پوشش¬داده شده تحت آزمايش اكسيداسيون هم دما در دماي 1600 درجه سانتيگراد قرار گرفتند. تغيرات وزني نمونه¬ها نشان دهنده افزايش قابل توجه مقاومت به اكسيداسيون دراثر اعمال پوشش¬ مي باشد. ميزان كاهش وزن در پوشش-هاي تك لايه C/SiC پس از 28 ساعت اكسيداسيون در دماي1600 درجه سانتيگراد برابر با 14/29./. وزني است.