يك تقويت كننده ترارسانايي عملياتي جديد دو طبقه مبتني بر ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) در تكنولوژي 16 نانومتر

در اين مقاله، يك تقويت كننده ترارسانايي عملياتي (OTA) جديد كاملاً تفاضلي بر اساس ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) ارائه مي¬شود. براي دستيابي به بهره ولتاژ بالاتر از وارونگر double CMOS pair به جاي وارونگر CMOS معمولي و يك ساختار دو طبقه استفاده شده است. اولين طبقه اين OTA متشكل از يك مسير پيشرو جهت حذف سيگنال هاي حالت مشترك و دومين طبقه شامل يك فيدبك حالت مشترك جهت تثبيت ولتاژ حالت مشترك خروجي مي¬شود. اين OTA با تكنولوژي 16nm MOS-GNRFET CMOS طراحي و شبيه سازي شده است. ولتاژ كاري اين مدار 1 ولت بوده و بهره dc آن 40 دسي بل مي¬باشد. فركانس بهره واحد (UGF) برابر با 25/13 مگا هرتز بوده و حد فاز آن °58 است. توان مصرفي OTA پيشنهادي با بار خازني 13 پيكو فاراد و بار مقاومتي 100 كيلو اهم در خروجي برابر با 5/77 ميكرو وات بوده و براي كاربردهاي ولتاژ پايين و توان پايين مناسب است. واژگان كليدي: تقويت كننده ترارسانايي عملياتي (OTA)، ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET)، وارونگر double CMOS pair، ساختار دو طبقه، ولتاژ پايين و توان پايين.