عملكرد ترانزيستورها درمقياس نانو با ساختار تزويج شده

در اين مقاله به بررسي عملكرد ترانزيستورها در مقياس نانو براي استفاده در مدار ات مجتمع الكترونيكي بسيار فشرده مي پردازيم. به منظور كوچك سازي بيشتر اجزاي مدار در مقياس نانو، شايد حتي مقياس مولكولي، محققان چند جايگزين براي ترانزيستور در مدارات فوق فشرده، پيشنهاد داده اند. اين وسايل الكترونيك نانومقياس شبيه ترانزيستورهاي كنوني، هم به عنوان سوئيچ و هم به عنوان تقويت كننده عمل مورد استفاده قرار ميگيرند. اما، بر خلاف ترانزيستورهاي اثر ميداني امروزي، كه بر اساس حركت توده الكترون در ماده حجيم عمل مي كند، وسائل جديد، از پديده هاي مكانيك كوانتومي سود مي برد كه در مقياس نانو اتفاق مي افتد. در اين مقاله ابتدا ترانزيستورهاي معمول مورد بررسي قرار مي گيرد و محدوديت هاي آن و مشكلات كوچكترسازي آنها مطرح مي شود و براي حل اين مشكل ترانزيستورهاي حالت جامد كه از اثرات كوانتومي در مقياس نانو بهره مي گيرند، پيشنهاد مي شود و از اين ميان، نمونه هايي با ساختار تزويج شده بحث خواهد شد.