شماره ركورد كنفرانس :
4059
عنوان مقاله :
يك تمام جمع كننده با نشتي فوق العاده پايين و سرعت بالا با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET)
پديدآورندگان :
باغي رهين امير amir.baghi@sardroud-iau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود , باغي رهين وحيد vahid.baghi@sardroud-iau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي، سردرود
كليدواژه :
سلول XOR , تمام جمع كننده يك بيتي , ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) , حاصلضرب تاخير در توان (PDP) , ولتاژ پايين.
عنوان كنفرانس :
اولين كنفرانس ملي پژوهش هاي كاربردي در علوم و مهندسي
چكيده فارسي :
ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET ها) رقيب تكنولوژي MOSFET معمولي با توجه به قابليت هاي درايو جريان بالاتر، حمل و نقل بالستيك، حاصلضرب تاخير در توان كمتر و پايداري حرارتي بالاترشان مي-باشند. بر اساس اين خواص اميدوار كننده GNRFET ها، در اين مقاله نخست يك سلول XOR جديد ولتاژ پايين با نشتي فوق العاده مبتني بر ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافيني (GNRFET) پيشنهاد شده و سپس در ساختار يك سلول تمام جمع كننده يك بيتي استفاده شده است. سلول تمام جمع كننده پيشنهاد شده داراي 18 ترانزيستور مي باشد. اين طرح از ويژگي هاي منحصر به فرد GNRFET هاي شبه MOSFET براي دستيابي به عملكرد بالا بهره مي گيرد. شبيه سازي ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوري 16nm MOS-GNRFET به انجام رسيدند. نتايج شبيه سازي برتري طراحي پيشنهادي از نظر سرعت و حاصلضرب تاخير در توان (PDP) را در مقايسه با ساختارهاي مرسوم نشان مي دهد.
