يك تمام جمع كننده فوق ولتاژ پايين و توان پايين با استفاده از ترانزيستورهاي FinFET براي كاربردهاي موبايل

يك جمع كننده، بلوك سازنده بسياري از مدارات محاسباتي مي¬باشد. طراحي يك جمع كننده كه مساحت كوچكتر، توان مصرفي كم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا مي¬باشد. از آنجاييكه طول كانال به سمت مقياس نانو ميل مي¬كند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پايه در جمع كننده اكنون به محدوديت هاي عملكردي خود از قبيل اتلاف توان ميانگين و سرعت نائل مي¬شود. در اين مقاله، يك سلول تمام جمع كننده يك بيتي با استفاده از ترانزيستور FinFET براساس مدل فرايند PTM 32nm با ولتاژ تغذيه 5/0 ولت براي كاربردهاي موبايل پيشنهاد مي¬شود. با استفاده از نرم افزار HSPICE ، پارامترهاي اصلي تمام جمع كننده از قبيل توان ايستا، توان مصرفي ميانگين، تاخير و حاصلضرب تاخير در توان(PDP‌) اندازه گيري شدند. توان ايستا 2/7 نانو وات، تاخير 82/106 پيكو ثانيه، توان مصرفي ميانگين 13/0 ميكرو وات و PDP برابر 17-10×43/1 ژول در اين تحقيق بدست آمدند. واژگان كليدي: فوق العاده ولتاژ پايين، توان پايين، ترانزيستور FinFET.